射频离子源 RFICP 140阅读数: 5949

KRI 射频离子源 RFICP 140
上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 140 是一款紧凑的有栅极离子源,非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀. 在离子束溅射工艺中,离子源广东快乐十分 RFICP 140 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 最佳的离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 就标准的型号而言, 可以在离子能量为 100~1000 eV 范围内获得很高的离子密度.
KRI 射频离子源 RFICP 140 技术参数:
型号 |
RFICP 140 / RFICP 140L |
供电 |
RF 射频感应耦合 |
- 阴极灯丝 |
- |
- 射频功率 |
1 KW |
电子束 |
广东快乐十分OptiBeam™ |
- 栅极 |
专用 |
-栅极直径 |
14 cm |
中和器 |
LFN 2000 |
电源控制 |
广东快乐十分RFICP 1510-2-10-LFNA |
配置 |
- |
- 阴极中和器 |
LFN2000 or MHC1000 or RFN |
- 安装 |
移动或快速法兰 |
- 高度 |
9.8' |
- 直径 |
9.8' |
- 离子束 |
聚焦 |
-加工材料 |
金属 |
-工艺气体 |
惰性 |
-安装距离 |
8-36” |
广东快乐十分 - 自动控制 |
控制4种气体 |
KRI 考夫曼离子源 RFICP 140 应用领域:
预清洗
表面改性
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE