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KRI 离子源应用
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KRI 离子源应用

KRI 离子源应用
上海伯东代理美国 KRI 考夫曼离子源主要应用于真空环境下的离子束辅助沉积, 纳米级的干式蚀刻和表面改性.

 常见的工艺应用

简称

 In-Situ Substrate Preclean 基片预清洗

PC

 Ion Beam Modification of Material & Surface Properties 离子束材料和表面改性
 - Surface polishing or smoothing 表面抛光
 - Surface nano structures and texturing 改变纳米结构和纹理
 - Ion figuring and enhancement 离子刻蚀成形
 - Ion trimming and tuning 离子表面优化
广东快乐十分  - Surface activated bonding

IBSM




SAB

 Ion Beam Assisted Deposition 离子束辅助沉积

IBAD

 Ion Beam Etching 离子蚀刻
 - Reactive Ion Beam Etching 反应离子蚀刻
 - Chemically Assisted Ion Beam Etching 化学辅助离子蚀刻

IBE
RIBE
CAIBE

 Ion Beam Sputter Deposition 磁控溅射辅助沉积
 - Reactive Ion Beam Sputter Deposition 反应离子磁控溅射沉积
 - Biased Target Ion Beam Sputter Deposition 偏压离子束磁控溅射

IBSD
RIBSD
BTIBSD

 Direct Deposition 直接沉积
 - Hard and functional coatings 硬质和功能膜

DD


作为一种新兴的材料加工技术, 美国 KRI 考夫曼离子源凭借出色的技术性能, 协助客户获得理想的薄膜和材料表面性能. 行业涉及精密光学, 半导体制造, 传感器, 医学等多个领域.

薄膜镀膜
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精密薄膜控制
广东快乐十分 薄膜为若干单层膜

考夫曼离子源
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半导体
可重复使用的金属涂层附着力

离子蚀刻
 

蚀刻晶元
刻蚀均匀性和临界几何尺寸

离子源
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MEMS, 传感器和显示器
表面优化
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离子源
 

精密光学
薄膜致密稳定, 折射率优化, 吸收率低

离子源
 

磁数据存储
金属和介质多层堆叠中纳米特性的各向异性和均匀腐蚀

 

 

 

 

 

 

 

 

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