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霍尔效应测试仪 ITO 薄膜测试案例
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霍尔效应测试仪 ITO 薄膜测试案例

霍尔效应测试仪 ITO 薄膜测试案例
上海伯东某科研客户霍尔效应测试案例一

样品: ITO 氧化铟锡, 标记为 ITO1, ITO2, ITO3
样品薄膜厚度: 60 - 100 nm
样品尺寸: 10 * 10 mm
实验内容: 载流子浓度, 类型, 霍尔迁移率, 方块电阻
实验仪器: 上海伯东英国 NanoMagnetics ezHEMS 霍尔效应测试仪

电阻率: 10-4 至 109 Ω-cm ( 样本依赖 )
迁移率: 1 至 107 cm2 / Volt-sec ( 样本依赖 )
载流子浓度: 10e7 至 1021 per cm-3 ( 样本依赖 )
输入电流: ±2 nA 至 ±20 mA, ±12 V compliance
最小霍尔电压测量: 0.1 μV
支持 Van der Pauw 和 Hall bar 成形试样
磁场强度: 0.6 Tesla 或 1 Tesla 永久磁铁

测试温度和磁场温度: 300K RT 1 Tesla
* 在测试开始前, 仪器均经过标准样品校验. 所有样品根据 ASTM 标准.

样品 ITO1 测试结果:
I-V 测量结果

霍尔效应测试仪 ITO 薄膜
VdP 测量结果
测量头类型: RT Head;   磁场: 9677G;   厚度: 80nm
霍尔效应测试仪 ITO 薄膜

部分测试结论:
1. 得到的电阻值彼此相容.
2. 所有的IV 曲线都是线性的
3. 所有样本都是欧姆的,统一的,均匀的.
4. Van der Pauw 测试为了保证准确性, 测试了2次, 测试结果是相同的.
...

* 鉴于信息保密, 更详细的霍尔效应测试案例欢迎拨打电话咨询: 021-5046-3511, 021-5046-1322

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